Η Samsung έκλεισε συμφωνία ύψους 200 δισ. δολαρίων με την Broadcom για τσιπ AI

Η Samsung Electronics ανακοίνωσε το Σάββατο ότι υπέγραψε συμφωνία με την αμερικανική εταιρεία σχεδιασμού ημιαγωγών Broadcom για τη διεύρυνση της συνεργασίας τους στους τομείς των τσιπ μνήμης, της συμβατικής κατασκευής ημιαγωγών και της προηγμένης συσκευασίας.

Η συνολική αξία της συνεργασίας προβλέπεται να ξεπεράσει τα 200 δισεκατομμύρια δολάρια έως το 2030.

Η εξασφάλιση μακροπρόθεσμων παραγωγικών δεσμεύσεων από την Broadcom, έναν από τους κορυφαίους σχεδιαστές προσαρμοσμένων τσιπ τεχνητής νοημοσύνης παγκοσμίως, θα μπορούσε να αυξήσει την αξιοποίηση των προηγμένων μονάδων παραγωγής της Samsung και να ενισχύσει τη θέση της στον διεθνή ανταγωνισμό για την προμήθεια ημιαγωγών τεχνητής νοημοσύνης.

«Η διευρυμένη συνεργασία αντικατοπτρίζει την εστίαση της Samsung στην υποστήριξη των πελατών με τεχνολογίες ημιαγωγών από άκρο σε άκρο, σε ένα ολοένα και πιο ποικίλο φάσμα εφαρμογών τεχνητής νοημοσύνης και υπολογιστών υψηλής απόδοσης», ανέφερε η εταιρεία σε ανακοίνωσή της.

Στροφή στα προσαρμοσμένα τσιπ τεχνητής νοημοσύνης

Η συμφωνία έρχεται σε μια περίοδο κατά την οποία οι μεγαλύτερες εταιρείες τεχνολογίας αναπτύσσουν ολοένα και περισσότερο δικούς τους, προσαρμοσμένους επιταχυντές τεχνητής νοημοσύνης, περιορίζοντας την αποκλειστική εξάρτησή τους από επεξεργαστές γραφικών γενικής χρήσης.

Η τάση αυτή αυξάνει τη ζήτηση για εξειδικευμένες συνεργασίες στον σχεδιασμό, στην παραγωγή και στη συσκευασία προηγμένων τσιπ.

Το μνημόνιο συμφωνίας υπογραμμίζει την προσπάθεια της Samsung να ενισχύσει τη θέση της στην αγορά των ημιαγωγών τεχνητής νοημοσύνης, διευρύνοντας τους μακροχρόνιους δεσμούς της με την Broadcom, σε μια περίοδο αυξανόμενης ζήτησης για προσαρμοσμένους επεξεργαστές.

Κατά την επόμενη πενταετία, η συνεργασία θα συνδυάσει την τεχνογνωσία της Broadcom στον σχεδιασμό ολοκληρωμένων κυκλωμάτων ειδικών εφαρμογών, γνωστών ως ASIC, με τις προηγμένες κατασκευαστικές δυνατότητες της Samsung.

Σύμφωνα με τη Samsung, τα τσιπ επικοινωνίας επόμενης γενιάς της Broadcom, τα οποία έχουν σχεδιαστεί για τη μεταφορά δεδομένων σε υψηλές ταχύτητες, θα παράγονται με τεχνολογία επεξεργασίας κάτω των 2 νανομέτρων.

Οι δύο εταιρείες θα συνεργαστούν επίσης στην ανάπτυξη προϊόντων μνήμης υψηλού εύρους ζώνης, γνωστών ως HBM, επόμενης γενιάς.

Ενίσχυση της δραστηριότητας χυτηρίων

Η συμφωνία θα μπορούσε να δώσει σημαντική ώθηση στον τομέα χυτηρίων της Samsung, η οποία επιδιώκει να περιορίσει τη διαφορά που τη χωρίζει από την ηγέτιδα της αγοράς TSMC, προσελκύοντας μεγάλους πελάτες από τον τεχνολογικό κλάδο.

Τον περασμένο μήνα, ο συνδιευθύνων σύμβουλος της Samsung και επικεφαλής του τμήματος ημιαγωγών, Jun Young-hyun, δήλωσε ότι είχε συζητήσει με τον διευθύνοντα σύμβουλο της Nvidia, Jensen Huang, το ενδεχόμενο συνεργασίας στην παραγωγή τσιπ επόμενης γενιάς.

Οι συζητήσεις περιλάμβαναν, μεταξύ άλλων, τα μελλοντικά προϊόντα μνήμης HBM4E και HBM5.

Η Samsung έχει δηλώσει ότι αναμένει να εξασφαλίσει στο προσεχές διάστημα νέες παραγγελίες για τις προηγμένες γραμμές παραγωγής των 2 νανομέτρων, έπειτα από επαφές με μεγάλες τεχνολογικές εταιρείες.

Την προηγούμενη χρονιά, η εταιρεία εξασφάλισε συμβόλαιο ύψους 16,5 δισεκατομμυρίων δολαρίων για την κατασκευή λογικών τσιπ για την αυτοκινητοβιομηχανία ηλεκτρικών οχημάτων Tesla.